Розробка інтегральних засобів програмування резистивних елементів пам'яті для інформаційних технологій

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorСтіканов, Валерій Юхимович
dc.contributor.authorПрокопенко, Катерина Сергіївна
dc.date.accessioned2023-03-16T09:21:25Z
dc.date.available2023-03-16T09:21:25Z
dc.date.issued2022
dc.description.abstractМетою дипломної роботи є аналіз, розробка та тестування технічних рішень для побудови інтегральних засобів програмування резистивних елементів пам'яті. Відповідно до мети, етапи виконання роботи включатимуть розробку генератора струму, моделі комірки пам'яті та загальної схеми програмування інформації. Кожен комп’ютерний пристрій містить енергонезалежну пам'ять. Розробники інтегральних схем продовжують удосконалювати характеристики пам’яті, такі як швидкодія, вартість, термін збереження даних, споживання енергії, щільність компоновки тощо. У представленій роботі розроблені та проаналізовані рішення для програмування резистивної пам'яті засобами середовища Cadence. Топологія складових компонентів схеми була розроблена та верифікована з використанням бібліотеки компонентів згідно угоди з міжнародною організації Europractice. Показана можливість збільшення щільності компоновки за рахунок запису в комірку пам’яті 2 і більше бітів інформації . Загальний обсяг роботи 95 с., 70 рис., 10 табл., 19 джерел.uk
dc.description.abstractotherThe purpose of the thesis is to analyze, develop and test the technical solutions for the construction of integrated tools for programming resistive memory elements. According to the goal, the stages of the work will include the implementation of a current generator, memory cells, and a general scheme of programming information. Each computer device needs its random-access memory (RAM). Integrated circuit designers continue to improve the RAM performance, such as speed, cost, data lifetime, power consumption, storage density, etc. In the presented work the solutions for programming resistive memory elements were developed and analyzed with tools of the Cadence environment. The topology of the components of the scheme was developed and verified with a library of components in accordance with the agreement with the international organization Europractice. In addition, the possibility of increasing the layout density by writing 2 bits of information to the memory cell was shown. The total volume of work is 95 pages, 70 figures, 10 tables, 19 sources.uk
dc.format.extent95 с.uk
dc.identifier.citationПрокопенко, К. С. Розробка інтегральних засобів програмування резистивних елементів пам'яті для інформаційних технологій : дипломна робота ... бакалавра : 122 Комп'ютерні науки / Прокопенко Катерина Сергіївна. - Київ, 2022. - 95 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/53736
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectенергонезалежна пам'ятьuk
dc.subjectрезистивна енергонезалежна пам'ятьuk
dc.subjectінтегральна схемаuk
dc.subjectCMOS технологіяuk
dc.subjectCadenceuk
dc.subjectrandom access memoryuk
dc.subjectresistive random access memoryuk
dc.subjectintegrated circuituk
dc.subjectCMOS technologyuk
dc.titleРозробка інтегральних засобів програмування резистивних елементів пам'яті для інформаційних технологійuk
dc.typeBachelor Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Prokopenko_bakalavr.pdf
Розмір:
6.98 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Бакалаврські роботи (СП)
Бакалаврські роботи