Модель тонкоплівкового пʼєзоелектричного резонатора на нітриді галію

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorОрлов, Анатолій Тимофійович
dc.contributor.authorАндрійченко, Денис Геннадійович
dc.date.accessioned2024-06-26T12:09:45Z
dc.date.available2024-06-26T12:09:45Z
dc.date.issued2024
dc.description.abstractОб’єктом дослідження є тонкоплівкові п’єзоелектричні резонатори. Предметом роботи - моделювання тонкоплівкових п’єзоелектричних резонаторів на основі нітриду галію. Метою роботи є дослідження моделей тонкоплівкових резонаторів та отримання частотних характеристик досліджуваних резонаторів. В першому розділі було розглянуто актуальність використання тонкоплівкових п’єзоелектричних резонаторів, існуючі структури таких резонаторів, а також було проведено огляд характеристик нітриду галію. В другому розділі було розглянуто існуючі моделі, які використовуються для моделювання тонкоплівкових п’єзоелектричних резонаторів. В третьому розділі було проведено розрахунок параметрів та моделювання тонкоплівкові п’єзоелектричні резонатори з використанням модифікованої моделі Баттерворта-Ван Дайка та RLC-моделі. Також було отримано амплітудно-частотні характеристики та залежності імпедансу від частоти.
dc.description.abstractotherThe object of research is thin-film bulk acoustic resonators. The subject of the work is the modeling of thin-film bulk acoustic resonators based on a gallium nitride. The aim of the work is to research thin-film bulk acoustic resonator models and to obtain the frequency response of studied resonators. In the first chapter, the relevance of using thin-film bulk acoustic resonators, the existing structures of such resonators, and the properties of gallium nitride were reviewed. In the second chapter, the existing models used for simulating thin-film bulk acoustic resonators were reviewed. In the third chapter, parameters were calculated and thin-film bulk acoustic resonators were modeled using the modified Butterworth-Van Dyke model and the RLC model. Frequency responses and dependences of impedance on frequency were also obtained.
dc.format.extent52 с.
dc.identifier.citationАндрійченко, Д. Г. Модель тонкоплівкового пʼєзоелектричного резонатора на нітриді галію : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Андрійченко Денис Геннадійович. – Київ, 2024. – 52 с.
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/67488
dc.language.isouk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорського
dc.publisher.placeКиїв
dc.subjectтонкоплівковий п’єзоелектричний резонатор
dc.subjectмодель тонкоплівкового п’єзоелектричного резонатора
dc.subjectмодифікована модель Баттерворта-Ван Дайка
dc.subjectthin-film bulk acoustic resonator
dc.subjectthin-film bulk acoustic resonator model
dc.subjectTFBAR
dc.subjectmodified Butterworth-Van Dyke model
dc.subjectmBVD
dc.titleМодель тонкоплівкового пʼєзоелектричного резонатора на нітриді галію
dc.typeBachelor Thesis

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Andriichenko_bakalavr.pdf
Розмір:
2.55 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Бакалаврські роботи (МЕ)
Бакалаврські роботи