Пристрій вимірювання параметрів напівпровідникових приладів для формування їх математичних моделей САПР
Вантажиться...
Дата
2018
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Анотація
Робота виконана на 87 сторінках, має 17 посилань на науково-технічну літературу. В роботі є 45 рисунків та 32 таблиці.
В дисертації розроблено пристрій вимірювання характеристик та формування параметрів моделі напівпровідників для САПР. Розроблено алгоритми вимірювання частотних та температурних характеристик. Дана розробка дозволить уточнювати або формувати параметри транзисторів та інших напівпровідникових приладів. Це дозволить підвищити ефективність проектування радіо-електронної апаратури, зокрема уникнути налаштування після проектування, підвищити надійність та зменшити загальну кількість компонентів радіо-електронних схем.
Опис
Ключові слова
транзисторний характерограф, параметри напівпровідників, модель Гумеля-Пуна, параметри моделі САПР, вольт-амперні характеристики, amper-volt characteristics., transistor curve tracer, semiconductor parameters, Gummel-Poon model, CAD model parameters
Бібліографічний опис
Грицевич, І. Р. Пристрій вимірювання параметрів напівпровідникових приладів для формування їх математичних моделей САПР : магістерська дис. : 172 Радіотехнічні інформаційні технології / Грицевич Іван Ростиславович – Київ, 2018. – 101 с.