Фотодіод на основі InSb з використанням імплантації іонів берилію
Вантажиться...
Дата
2019-06
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Анотація
Роботу викладено на 67 сторінках, вона містить 3 розділів, 59 ілюстрацій, 6 таблиці та 19 джерел в переліку посилань.
Об’єктом дослідження став фоточутливий елемент на основі InSb утворений з імплантацією іонів берилію.
Предмет роботи – вольт-амперні характеристики фоточутливого елементу, профіль розподілу імплантованої домішки
Метою даної роботи є створення фоточутливого елементу на основі n-InSb, який працює при 77 К, та удосконалення його технологічного маршруту.
У першому інформаційно-аналітичному розділі роботи коротко надано відомості про детектори на основі InSb.
У другому розділі викладена інформація про основні процеси технологічного маршруту.
У третьому розділі удосконалюється процес виготовлення фотодіоду.
Опис
Ключові слова
Бібліографічний опис
Безручко, М. В. Фотодіод на основі InSb з використанням імплантації іонів берилію : дипломна робота … бакалавра : 6.050801 Мікро- та наноелектроніка / Безручко Марко Валерійович. – Київ, 2019. – 69 с.