МДН-транзистор з субмікрометровою довжиною каналу
Вантажиться...
Дата
2021
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Роботу викладено на 53 сторінках, вона містить 5 розділів, 28 ілюстрацій,
1 таблицю та 24 джерела в переліку посилань.
Об'єктом дослідження є МДН транзистор из субмікрометровою довжиною каналу та їх конструктивно-технологічні особливості реалізації.
Предметом роботи є порівняння результатів моделювання МДН транзистора та КНІ МДН транзистора зі структурою затвору TiAl/HfO2.
Метою роботи є огляд сучасних конструкцій МДН транзисторів та вибір матеріалів підзатворних діелектриків та затвору для їх виготовлення.
У першому розділі подаються способи застосування МДН транзисторів з субмікрометровою довжиною каналу.
У другому розділі описуються коротко-канальні ефекти та способи їх усунення.
У третьому розділі проводиться аналіз матеріалів для затвору та підзатворного діелектрика.
У четвертому розділі розглядаються конструктивні та технологічні особливості реалізації МДН транзисторів з субмікрометровою довжиною каналу.
У п’ятому розділі надаються способи моделювання та проводиться порівняння вольт-амперних характеристик змодельованих МДН транзисторів.
Опис
Ключові слова
МДН транзистор, КНІ, high-k, FinFET, GAAFET, MOSFET, SOI
Бібліографічний опис
Єрьоменко, І. В. МДН-транзистор з субмікрометровою довжиною каналу : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Єрьоменко Ігор Вікторович. – Київ, 2021. – 53 с.