Діод Шотткі на основі переходу Au-Si
Вантажиться...
Дата
2021
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Роботу викладено на 50 сторінках, вона містить 4 розділи, 27 ілюстрацій, 6 таблиць та 22 джерела в переліку посилань.
Об’єктом дослідження є діод Шотткі на основі контакту Au/Si та його основні електрофізичні параметри.
Предмет роботи – дослідження електрофізичних параметрів діодів Шотткі із контактом Au/Si та огляд теоретичних засад формування бар’єру Шотткі на контакті метал-напівпровідник.
Мета роботи – розрахунок електрофізичних параметрів діода Шотткі на основі контакту Au-Si та порівняння трьох, виготовлених промисловим методом, діодів для визначення доцільності використання тієї чи іншої товщини контакту металу (Au).
В першому розділі подаються основи описання контактів типу метал-напівпровідник, методики формування бар’єру Шотткі за різних модифікацій обраних матеріалів та методи струмопроходження через такі контакти.
В другому розділі описано основні засади формування структур діодів Шотткі та їх схемотехнічне використання в парі з біполярними транзисторами для зняття паразитного заряду. Також описано покрокове формування діоду Шотткі на планарному транзисторі для утворення структури із «затискачем» Шотткі.
В третьому розділі розглянуто використане для розрахунків програмне забезпечення у вигляді пакету MathCad. Його переваги та функціональні можливості. Також було розглянуто причини вибору саме цього пакету.
В четвертому розділі наведено розрахункову частину дослідження, надано відповідні таблиці та графіки, отримані з експериментальних даних.
Опис
Ключові слова
Бібліографічний опис
Шкапа, А. С. Діод Шотткі на основі переходу Au-Si : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Шкапа Антон Сергійович. – Київ, 2021. – 50 с.