КМДН-інвертор з довжинами каналів транзисторів субмікрометрового діапазону
Вантажиться...
Дата
2021
Автори
Осадчий, Євгеній Андрійович
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Дипломна робота виконана на 46 сторінках, що містять вступ, 4 розділи, 20 ілюстрацій, 14 джерел посилань.
Об’єктом дослідження є КМДН-інвертор на транзисторах з субмікронними каналами. Предметом є порівняння результатів дослідження за відомими методами.
Мета: проаналізувати існуючі конструкції та способи реалізації КМДН-інверторів з субмікронними каналами.
У вступі розглянуто теоретичні основи роботи класичного МДН-транзистора та КМДН-інвертора.
Перший розділ присвячений процесу виготовлення та електричним вимірюванням багатозатворного КМДН-транзистору з midgap матеріалом затвору.
У другому розділі проведено моделювання впливу high-k діелектрика та діелектричних матеріалів на глибокі субмікрометрові МДН-транзистори.
У третьому розділі досліджено процес виготовлення польових транзисторів з нанопровідними нанопроволоками Шотткі середньої щільності та проаналізовано їх властивості.
Четвертий розділ присвячений дослідженню транзисторів з ультра тонким midgap затвором на підкладкці кремній на ізоляторі, моделюванню та розгляду його електричних характеристик.
Опис
Ключові слова
midgap затвор, КМДН-інвертор, кремній на ізоляторі, збіднений кремній, high-k діелектрик
Бібліографічний опис
Осадчий, Є. А. КМДН-інвертор з довжинами каналів транзисторів субмікрометрового діапазону : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Осадчий Євгеній Андрійович. – Київ, 2021. – 47 с.