Моделювання процесів дифузії в мікроелектроніці
Вантажиться...
Дата
2024
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Роботу викладено на 59 сторінці, вона містить 2 розділи, 22 ілюстрацій, 2 таблиці та джерела в переліку посилань.
Об’єкт роботи – процеси дифузії в оксидних шарах напівпровідників.
Предмет роботи – дослідження дифузії на різних стадіях виробництва мікроелектронних пристроїв, таких як загонка, розгонка, та інші етапи. Моделювання процесів іонної імплантації, яка використовується для введення домішок у матеріали з використанням іонів.
Мета роботи – поглиблене вивченні та розумінні дифузійних процесів у мікроелектроніці з метою покращення технологій та оптимізації виробництва електронних пристроїв.
В першому розділі представлені опис основного рівняння, що характеризує процес дифузії в речовині за законами Фіка, дослідження моделей, які визначають коефіцієнти дифузії для основних домішок у кремнії, вивчення моделей, що описують дифузію на різних етапах, таких як загонка і розгонка домішок, а також вивчення перерозподілу домішок у процесі дифузії в окислювальному середовищі.
В другому розділі досліджено розподілу домішок, які вводяться за допомогою іонної імплантації, з використанням різних типів розподілу, таких як гаусовські розподіли, спряжені гаусіани, розподіл Пірсона-4. Розглянуто локальне легування за допомогою іонної імплантації, процеси похилої імплантації іонів, а також проведений аналіз дифузійного перерозподілу іонно-імплантованих домішок.
Опис
Ключові слова
Бібліографічний опис
Кореневський, Н. В. Моделювання процесів дифузії в мікроелектроніці : магістерська дис. : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Кореневський Нікіта Вадимович. – Київ, 2024. – 60 с.