Метод електронної мікроскопії для дослідження підповерхневих дефектів електронних компонентів та ІС
Вантажиться...
Дата
2023
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Анотація
Текстова частина дипломної роботи складає 51 сторінок, 21 рисунків та 30 літературних посилань.
Об'єкт дослідження – метод електронної мікроскопії, за допомогою якого проводиться аналіз дефектів.
Предмет дослідження – підповерхневі дефекти електронних компонентів та інтегральних схем.
Мета роботи – вивчення можливостей застосування методу електронної мікроскопії для вияву і аналізу підповерхневих дефектів електронних компонентів та ІС, а також визначити типи та характеристики дефектів. Розглянути основні принципи цього методу, а також його використання.
В роботі виконано огляд методів електронної мікроскопії, висвітлено їх переваги та недоліки у виявлення та аналізу підповерхневих дефектів електронних компонентів та ІС. Також наведений огляд підповерхневі дефекти і їх характеристики. Описано застосування методу скануючої електронної мікроскопії у поєднанні зі сфокусованим іонним пучком для виявлення підповерхневих дефектів електронних компонентів та ІС.
Опис
Ключові слова
підповерхневі дефекти електронних компонентів та інтегральних схем, скануюча електронна мікроскопія, сфокусований іонний пучок, методи виявлення підповерхневих дефектів, sub-surface defects of electronic components and integrated circuits, scanning electron microscopy, focused ion beam, methods of detecting sub-surface defects
Бібліографічний опис
Лугова, В. О. Метод електронної мікроскопії для дослідження підповерхневих дефектів електронних компонентів та ІС : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Лугова Вероніка Олегівна. – Київ, 2023. – 51 с.