Технологія вирощування монокристалів в умовах високих температур та тисків
Вантажиться...
Дата
2021-06
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Дипломна робота: 63 сторінки, 21 рисунок, 6 таблиць, 57 джерел інформації.
Об’єкт дослідження: кристали GаN, сплави-розчинники на основі заліза для вирощування монокристалів.
Мета роботи: Отримання високоякісних монокристалів GaN у АВТ типу «тороїд» методом температурного градієнту.
Методи дослідження: SEM, XRD, ІЧ-спектроскопія, та раманівська спектроскопія.
В результаті роботи розглянуто сучасні методи отримання кристалів GaN, досліджено вплив параметрів вирощування монокристалів на структурну досконалість кристалів GaN. Виконано експерименти з вирощування кристалів GaN за температур 1200 оС, 1400 оС та 1600 оС на протязі 55 хв, 14 год. та 17 год. відповідно. Досліджено вплив температури, тиску, часу кристалізації та складу сплаву-розчинника на структурну досконалість отриманих кристалів за допомогою методів SEM, XRD, ІЧ-спектроскопії, оптичної та раманівської спектроскопій.
Опис
Ключові слова
вирощування, growing, монокристали, singl crystals, нітрид галію, galium nitride, сплав-розчинник, solvent alloy, температура, temperature, тиск, pressure
Бібліографічний опис
Гладкий, І. О. Технологія вирощування монокристалів в умовах високих температур та тисків : дипломна робота … бакалавра : 132 Матеріалознавство / Гладкий Ілля Олексійович. – Київ, 2021. – 63 с.