Технологія вирощування монокристалів в умовах високих температур та тисків

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorТуркевич, Володимир Зіновійович
dc.contributor.authorГладкий, Ілля Олексійович
dc.date.accessioned2023-02-17T08:43:06Z
dc.date.available2023-02-17T08:43:06Z
dc.date.issued2021-06
dc.description.abstractenThesis: 63 pages, 21 figures, 6 tables, 48 references. Object of research: GаN crystals, solvent alloys based on iron for growing single crystals. Purpose: Obtaining high-quality GaN single crystals in AVT type "toroid" by the temperature gradient method. Research methods: SEM, XRD, IR spectroscopy, and Raman spectroscopy. As a result, modern methods of obtaining GaN crystals are considered, the influence of single crystal growth parameters on the structural perfection of GaN crystals is investigated. Experiments on the cultivation of GaN crystals at temperatures of 1200 °C, 1400 °C and 1600 °C for 55 min, 14 h and 17 h were performed. in accordance. The influence of temperature, pressure, crystallization time and composition of the solvent alloy on the structural perfection of the obtained crystals was studied using the methods of SEM, XRD, IR spectroscopy, optical and Raman spectroscopy.uk
dc.description.abstractukДипломна робота: 63 сторінки, 21 рисунок, 6 таблиць, 57 джерел інформації. Об’єкт дослідження: кристали GаN, сплави-розчинники на основі заліза для вирощування монокристалів. Мета роботи: Отримання високоякісних монокристалів GaN у АВТ типу «тороїд» методом температурного градієнту. Методи дослідження: SEM, XRD, ІЧ-спектроскопія, та раманівська спектроскопія. В результаті роботи розглянуто сучасні методи отримання кристалів GaN, досліджено вплив параметрів вирощування монокристалів на структурну досконалість кристалів GaN. Виконано експерименти з вирощування кристалів GaN за температур 1200 оС, 1400 оС та 1600 оС на протязі 55 хв, 14 год. та 17 год. відповідно. Досліджено вплив температури, тиску, часу кристалізації та складу сплаву-розчинника на структурну досконалість отриманих кристалів за допомогою методів SEM, XRD, ІЧ-спектроскопії, оптичної та раманівської спектроскопій.uk
dc.format.page63 с.uk
dc.identifier.citationГладкий, І. О. Технологія вирощування монокристалів в умовах високих температур та тисків : дипломна робота … бакалавра : 132 Матеріалознавство / Гладкий Ілля Олексійович. – Київ, 2021. – 63 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/52699
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectвирощуванняuk
dc.subjectgrowinguk
dc.subjectмонокристалиuk
dc.subjectsingl crystalsuk
dc.subjectнітрид галіюuk
dc.subjectgalium nitrideuk
dc.subjectсплав-розчинникuk
dc.subjectsolvent alloyuk
dc.subjectтемператураuk
dc.subjecttemperatureuk
dc.subjectтискuk
dc.subjectpressureuk
dc.titleТехнологія вирощування монокристалів в умовах високих температур та тисківuk
dc.typeBachelor Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Gladky_bakalavr.pdf
Розмір:
2.73 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.1 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Бакалаврські роботи (ВТМПМ)
Бакалаврські роботи